FQPF27N25T
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FQPF27N25T |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 250V 14A TO220F |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220F-3 |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 7A, 10V |
Verlustleistung (max) | 55W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2450 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 14A (Tc) |
Grundproduktnummer | FQPF2 |
FQPF27N25T Einzelheiten PDF [English] | FQPF27N25T PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F
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2024/04/23
2024/11/4
2024/04/4
2024/06/19
FQPF27N25Tonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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